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HCLAB系列

可定制的模塊化系統

Customizable modular system
真空應用解決方案提供商
首頁 > 卷繞鍍膜設備 > 實驗卷繞真空鍍膜設備
Experimental roll to roll vacuum coating equipment 實驗卷繞真空鍍膜設備

     HCLAB系列是基于模塊化,可擴展和高度可定制平臺的卷繞鍍膜系統,適用于各種基材和應用,它專為從實驗室到生產的所有過程和產品鑒定步驟而設計,此外,它適用于柔性玻璃的涂層。

     HCLAB系列使用與我們的卷繞鍍膜系統相同的關鍵組件進行工業生產,但是規模較小,因此,我們的客戶可以在實驗室條件下測試其應用,并在將其產品升級到批量生產時節省時間。

     HCLAB系列概念提供了多種繞線系統配置,此外,卷繞系統的輥子部分可以重新配置,以適應新的需求并滿足。

     HCLAB系列設備是小型的模塊化卷繞鍍膜系統,該系統是為實現從實驗室樣品到量產,進行工藝和產品認證而專門設計的。此外,它還適用于給柔性玻璃鍍膜,設備雖以適用小規模生產為主,但也配備了與工業生產用卷繞鍍膜系統相同的核心組件。因此,我們的客戶可以在實驗室條件下測試其應用情況,然后再擴大規模進行量產。


優勢:

?獨特的可變工藝部分布置
?可配置的繞線系統
?許多升級選項
?經過驗證的技術組件,可有效地從實驗室規模轉移到批量生產
?多室多腔體布局,工藝多樣性組合
?靈活的模塊化單元組合,降低擁有成本

Product Advantage.

產品特點
HCLAB系列實驗卷繞真空鍍膜設備包括以下關鍵功能:
  • 客制化

    根據不同需要設計生產

  • 創新

    獨特的可變工藝部分布置

  • 多用途

    研發或小規模生產

  • 可升級

    實驗室規模高效轉移大規模生產

  • 靈活

    可靈活配置的不同繞線系統

  • 多工藝

    多樣化工藝可選

型號 HCLAB-300
寬幅(mm) Max.300
基材 聚合物薄膜, 柔性玻璃, 金屬箔, 紡織品等
基材厚度 23微米~250微米
可配置工藝
RSM可旋轉單磁控管 我們成熟的旋轉磁控管技術可實現最高的目標利用率和最佳的工藝穩定性。單管陰極也可采用雙陽極濺射技術。
RDM可旋轉雙磁控管 雙旋轉裝置可用于使用兩個部分的交流或雙極功率濺射。
SSM標準單磁控管 可靠、標準的單平面磁控管適用于各種可能的目標材料,用于研發和試產。
氣體分離 用于主動泵送氣體分離的部分使相鄰過程之間的分離系數達到可靠的1:100。
預處理輝光放電裝置 預處理組件,如輝光放電裝置或線性離子源,可集成以改善涂層或涂層參數,例如附著力。
PECVD,熱蒸發 柔性工藝部分是開放的,用于集成特定的客戶涂層組件,例如PECVD或熱蒸發。
DAS雙陽極濺射 支持長期穩定的直流濺射以降低敏感基底上的熱負荷
工業 使用阻抗控制、PEM或高級模式的經驗證的無功濺射控制系統
數據分析 工藝數據和回顧性趨勢分析的最新工藝數據庫
型號 HCLAB-600
寬幅(mm) Max.600
基材 聚合物薄膜, 柔性玻璃, 金屬箔, 紡織品等
基材厚度 23微米~250微米
可配置工藝
RSM可旋轉單磁控管 我們成熟的旋轉磁控管技術可實現最高的目標利用率和最佳的工藝穩定性。單管陰極也可采用雙陽極濺射技術。
RDM可旋轉雙磁控管 雙旋轉裝置可用于使用兩個部分的交流或雙極功率濺射。
SSM標準單磁控管 可靠、標準的單平面磁控管適用于各種可能的目標材料,用于研發和試產。
氣體分離 用于主動泵送氣體分離的部分使相鄰過程之間的分離系數達到可靠的1:100。
預處理輝光放電裝置 預處理組件,如輝光放電裝置或線性離子源,可集成以改善涂層或涂層參數,例如附著力。
PECVD,熱蒸發 柔性工藝部分是開放的,用于集成特定的客戶涂層組件,例如PECVD或熱蒸發。
DAS雙陽極濺射 支持長期穩定的直流濺射以降低敏感基底上的熱負荷
工業 使用阻抗控制、PEM或高級模式的經驗證的無功濺射控制系統
數據分析 工藝數據和回顧性趨勢分析的最新工藝數據庫
型號 HCLAB-900
寬幅(mm) Max.900
基材 聚合物薄膜, 柔性玻璃, 金屬箔, 紡織品等
基材厚度 23微米~250微米
可配置工藝
RSM可旋轉單磁控管 我們成熟的旋轉磁控管技術可實現最高的目標利用率和最佳的工藝穩定性。單管陰極也可采用雙陽極濺射技術。
RDM可旋轉雙磁控管 雙旋轉裝置可用于使用兩個部分的交流或雙極功率濺射。
SSM標準單磁控管 可靠、標準的單平面磁控管適用于各種可能的目標材料,用于研發和試產。
氣體分離 用于主動泵送氣體分離的部分使相鄰過程之間的分離系數達到可靠的1:100。
預處理輝光放電裝置 預處理組件,如輝光放電裝置或線性離子源,可集成以改善涂層或涂層參數,例如附著力。
PECVD,熱蒸發 柔性工藝部分是開放的,用于集成特定的客戶涂層組件,例如PECVD或熱蒸發。
DAS雙陽極濺射 支持長期穩定的直流濺射以降低敏感基底上的熱負荷
工業 使用阻抗控制、PEM或高級模式的經驗證的無功濺射控制系統
數據分析 工藝數據和回顧性趨勢分析的最新工藝數據庫
型號 HCLAB-1200
寬幅(mm) Max.1200
基材 聚合物薄膜, 柔性玻璃, 金屬箔, 紡織品等
基材厚度 23微米~250微米
可配置工藝
RSM可旋轉單磁控管 我們成熟的旋轉磁控管技術可實現最高的目標利用率和最佳的工藝穩定性。單管陰極也可采用雙陽極濺射技術。
RDM可旋轉雙磁控管 雙旋轉裝置可用于使用兩個部分的交流或雙極功率濺射。
SSM標準單磁控管 可靠、標準的單平面磁控管適用于各種可能的目標材料,用于研發和試產。
氣體分離 用于主動泵送氣體分離的部分使相鄰過程之間的分離系數達到可靠的1:100。
預處理輝光放電裝置 預處理組件,如輝光放電裝置或線性離子源,可集成以改善涂層或涂層參數,例如附著力。
PECVD,熱蒸發 柔性工藝部分是開放的,用于集成特定的客戶涂層組件,例如PECVD或熱蒸發。
DAS雙陽極濺射 支持長期穩定的直流濺射以降低敏感基底上的熱負荷
工業 使用阻抗控制、PEM或高級模式的經驗證的無功濺射控制系統
數據分析 工藝數據和回顧性趨勢分析的最新工藝數據庫
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