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HCSH系列

功能性薄膜

涂層設備

Functional film coating equipment
真空應用解決方案提供商
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Functional film coating equipment 功能性薄膜涂層設備

      匯成在PMA I 專利技術的基礎上,開發(fā)出PMA II 和EFC專利技術,并成功的將PMA II 和EFC技術集成到新一代涂層系統(tǒng)上。該系統(tǒng)具有靈活的配置,可以與ARC、MS、HIPIMS等技術組合使用,為新涂層,新材料的開發(fā)提供更多的可能性,為刀具涂層、模具涂層、零部件涂層、DLC涂層、GLC涂層、ta-c涂層等提供完整的涂層方案。

      廣泛應用于科研、半導體、工具、刀具、模具、零部件、醫(yī)療器械、光學、新能源等行業(yè)。可鍍制AlTiN、TiAlN、AlTiXN、AlCrN、AlCrXN、TiSiN、CrN、TiN等氮化物涂層,Ta-c、類石墨、Cr+a-c、Cr+a-c:H、W+a-c、W+a-c:H等碳基,Cr+a-c:H、CrN+a-c:H等PECVD涂層。

      匯成真空提供最先進的PVD、PACVD等功能性涂層的廣泛產(chǎn)品組合技術設備,用于適應各種加工要求和工件材料的高速鋼和硬質(zhì)合金工件。

      匯成真空涂層節(jié)省了總體加工成本,因為它們允許更高的切削速度、進料和由于延長使用壽命而減少的更換工具的時間。涂層的低摩擦性能和硬度允許減少潤滑和冷卻,建立可預見的磨損,保證加工零件的表面質(zhì)量更好。

高性能涂層:
      高性能涂層是專門設計用于對堅韌和粗糙的工件材料進行高速、大進料加工的工具,工況高熱和高機械負荷,最小或低潤滑和冷卻。

涂層價值:
      匯成真空的眾多特殊用途的涂層加工在HSS和硬質(zhì)合金工件上,是切削金屬、塑料、復合材料和包括木材等其他材料的重要部件。它們提供高效率,延長工件使用壽命,并降低總體成本。


主要模塊
Arc HiPIMS
創(chuàng)新的APA蒸發(fā)器技術(先進的等離子輔助)基于陰極真空電弧,為新的層結構提供了多種開發(fā)可能性。
優(yōu)勢:
●靶材使用率高,降低靶材成本
●沉積率高
●磁場可調(diào)節(jié)
●靶材更換時間短
●等離子體密度高
●完美的涂層結合力
HiPIMS代表高功率脈沖磁控濺射。
優(yōu)勢:
●離化率高(類似于電弧法)
●高功率密度,從 100 到1000 W/cm2
●等離子密度非常高
●可以通過等離子參數(shù)設置來調(diào)節(jié)層結構
●涂層非常光滑
●完美的涂層結合力
●在低基材溫度下沉積致密的涂層
其他模塊
濺射 氮化
在濺射工藝中,通過高能離子(Ar)轟擊靶材,分離成原子進而轉(zhuǎn)化成氣相。通過結合濺射材料和其他氣體,將涂層沉積在基材上。
優(yōu)勢:
●可以濺射多種材料
●多種工藝變量可用
●光滑的涂層
●結合功率刻蝕工藝AEGD獲得好的涂層結合力
使用氮化模塊,可在同一個系統(tǒng)、同一個批次,在PVD和/或PACVD涂層工藝之前進行等離子氮化工藝。由此生成一個硬化層,為后續(xù)的PVD/PACVD涂層提供完美的支撐。
優(yōu)勢:
●優(yōu)化工具和零部件屬性
●替代昂貴的基材
●顯著延長壽命
●可以應用所有PVD涂層
DLC ta-C
DLC就是類金剛石涂層,指一系列具有超低摩擦系數(shù)的非晶碳涂層。使用DLC模塊,可以通過使用PVD和/或PACVD工藝來生成不同的DLC涂層。標準DLC涂層包括不含金屬或含金屬的碳基涂層。
優(yōu)勢:
●完美的涂層結合力
●高耐磨性
●低摩擦系數(shù)
●光滑的涂層
ta-C 就是不含氫的四面體非晶碳,指的是一組極硬、低摩擦的非晶碳涂層。使用ta-C模塊可以生產(chǎn)不同的ta-C涂層。
優(yōu)勢:
●適用于比DLC更高的溫度環(huán)境
●非常高的耐磨性
●完美的涂層結合力
●光滑的涂層

Product Advantage.

產(chǎn)品特點
HCSH系列功能性薄膜涂層設備包括以下關鍵功能:
  • 結構緊湊

    占地面積小,易于集成到工廠

  • 成本低

    單件鍍膜成本低

  • 簡單

    易于操作維護

  • 模塊化

    多種工藝技術靈活組合

  • 低溫

    低溫工藝適合金屬和塑料部件

  • 監(jiān)控

    本地或遠程監(jiān)控鍍膜過程

型號 HCSH-400
有效等離子區(qū)域 D400×H450mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門4~5h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統(tǒng)
標準轉(zhuǎn)架 D140×4軸
最大裝載量 200KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統(tǒng)
型號 HCSH-650
有效等離子區(qū)域 D650×H750mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門5~8h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統(tǒng)
標準轉(zhuǎn)架 D140×8軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統(tǒng)
型號 HCSH-900
有效等離子區(qū)域 D900×H1200mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵×2
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統(tǒng)
標準轉(zhuǎn)架 D140×12軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統(tǒng)
型號 HCSH-1800
有效等離子區(qū)域 D900×H1500mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵×2
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統(tǒng)
標準轉(zhuǎn)架 D140×12軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統(tǒng)

Application cases.

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