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HiPIMS

大功率脈沖

磁控濺射

HiPIMS HIGH POWER IMPULSE MAGNETRON SPUTTERING
真空應用解決方案提供商
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High power impulse magnetron sputtering coating system HiPIMS濺射涂層系統

      HiPIMS-800結合了經典直流濺射鍍膜系統的所有優點和最新的HiPIMS技術的能力。該系統共配備六個濺射陰極,其中四個可以在HIPIMS或DC模式下工作。另外兩個直流陰極可以操作,例如,提供更復雜的多層涂層,提供顏色和頂層涂層,或只是增加沉積速率。這些技術在一個過程中的絕對自由組合,以非常低的生產成本提供了有限的涂層設計范圍。在純HiPIMS模式下,沉積速率為2μm/h,處理時間為4-5小時。當所有6個陰極同時工作時,可達到3μm/h。這是迄今為止1.800圓柄工具或5.000可轉位刀片涂層容量的難以置信的低生產時間。

      HiPIMS-800能夠沉積所有可用的HCVAC濺射涂層和市場上幾乎所有的PVD涂層。此外,它是開發定制流程的理想機器。客戶友好用戶界面“數據視圖”和集成規劃工具“數據計劃”有助于設計單獨的涂層解決方案。您的涂層將使您的產品在市場上脫穎而出,讓用戶獲得競爭優勢。其他功能,如用戶友好的平板電腦和手機遠程控制,便于維護的組件,全自動陰極百葉窗,自動關門和快速更換涂層臺的裝置使HiPIMS-800成為生產和開發最先進的高性能涂層的最佳涂層系統。


主要模塊
Arc HiPIMS
創新的APA蒸發器技術(先進的等離子輔助)基于陰極真空電弧,為新的層結構提供了多種開發可能性。
優勢:
●靶材使用率高,降低靶材成本
●沉積率高
●磁場可調節
●靶材更換時間短
●等離子體密度高
●完美的涂層結合力
HiPIMS代表高功率脈沖磁控濺射。
優勢:
●離化率高(類似于電弧法)
●高功率密度,從 100 到1000 W/cm2
●等離子密度非常高
●可以通過等離子參數設置來調節層結構
●涂層非常光滑
●完美的涂層結合力
●在低基材溫度下沉積致密的涂層
其他模塊
濺射 氮化
在濺射工藝中,通過高能離子(Ar)轟擊靶材,分離成原子進而轉化成氣相。通過結合濺射材料和其他氣體,將涂層沉積在基材上。
優勢:
●可以濺射多種材料
●多種工藝變量可用
●光滑的涂層
●結合功率刻蝕工藝AEGD獲得好的涂層結合力
使用氮化模塊,可在同一個系統、同一個批次,在PVD和/或PACVD涂層工藝之前進行等離子氮化工藝。由此生成一個硬化層,為后續的PVD/PACVD涂層提供完美的支撐。
優勢:
●優化工具和零部件屬性
●替代昂貴的基材
●顯著延長壽命
●可以應用所有PVD涂層
DLC ta-C
DLC就是類金剛石涂層,指一系列具有超低摩擦系數的非晶碳涂層。使用DLC模塊,可以通過使用PVD和/或PACVD工藝來生成不同的DLC涂層。標準DLC涂層包括不含金屬或含金屬的碳基涂層。
優勢:
●完美的涂層結合力
●高耐磨性
●低摩擦系數
●光滑的涂層
ta-C 就是不含氫的四面體非晶碳,指的是一組極硬、低摩擦的非晶碳涂層。使用ta-C模塊可以生產不同的ta-C涂層。
優勢:
●適用于比DLC更高的溫度環境
●非常高的耐磨性
●完美的涂層結合力
●光滑的涂層

Product Advantage.

產品特點
HiPIMS-800大功率脈沖磁控濺射涂層系統包括以下關鍵功能:
  • 最高效率

    沉積速率高達2μm/小時

  • 一致性

    整個腔室中均勻的鍍膜沉積速率

  • 最大吞吐量

    純HiPIMS AlTiN的工藝周期為4小時30分鐘

  • 快速

    轉換時間最短,覆蓋新的涂層材料和其他工具類型/批次

  • 全自動

    全自動,低維護要求

  • 監控

    本地或遠程監控鍍膜過程

型號 HiPIMS-800
鍍膜范圍 ?400mm x 400mm
基板表 ?400mm x?130mm x 6
快速批量更換表 可選的
濺射陰極 6 x 500(包括4個可選的HiPIMS/DC和另外2個DC;所有陰極均配有百葉窗)
最大基板尺寸?x h ?400mm x 800mm
鉆孔能力?6 mm x 60 mm 1800個
插入容量12.7 mm x 3.5 mm 4920個
最大工件重量 250KG
沉積速率 在純HiPIMS模式下,2微米/小時。
在DC或combi模式下,最高可達3微米/小時。
循環時間* 4.5H
過程 HiPIMS和使用助推器技術的濺射。
所有已確定的氟氯烴涂層都是可能的。
基板預處理(等離子蝕刻) 增壓器,MF和HiPIMS,蝕刻
導電涂料
非導電涂層
非導電基板
額定功率 80Kw
每批3微米涂層的功耗* 120kWh
外形尺寸 1450mm x 3350mm x 2200mm
重量 約3500Kg
艙門關閉 自動關閉
*10 mm銑刀純HiPIMS涂層
型號 HCSH-400
有效等離子區域 D400×H450mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門4~5h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統
標準轉架 D140×4軸
最大裝載量 200KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統

Application cases.

應用案例
型號 HCSH-650
有效等離子區域 D650×H750mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門5~8h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統
標準轉架 D140×8軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統
型號 HCSH-900
有效等離子區域 D900×H1200mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵×2
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統
標準轉架 D140×12軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統
型號 HCSH-1800
有效等離子區域 D900×H1500mm
最高工作溫度 550℃
技術特點 PMAⅡ
EFC
AEG
HIPIMS
預處理 ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS
陰極 D120 / D160 / W125
真空條件 極限真空≤5×10-4Pa
工作真空≤5×10-3Pa
工藝周期 關門到開門7~10h
TiN:2~2.5um
TiAlN:2~2.5um
TiSiN:2~3.5um
設備配置 磁懸浮分子泵×2
脈沖偏壓電源
PC智能控制系統
標準轉架 D140×12軸
最大裝載量 500KG
備注 選用濺射(UBM,RF等)有效高度會適當減小
在線服務支持系統

Application cases.

應用案例
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